将CVD系统中的真空系统、热处理系统、供气系统集成在一个控制面板上，通过触摸屏操作控制实现联动自动化。设备热处理最高温度1200℃，连续使用温度1100℃，三路供气），真空度-0.1Mpa,是高校、科研所及各大高企实验室做化学气相沉积的理想设备之一

滑动PECVD系统炉的低温高效的特点使其在光伏、半导体、柔性电子等领域不可替代，与传统CVD相比，PECVD的显著优势是可在​​较低温度​​下完成高质量薄膜沉积，适用于不耐高温的基材。

CVD系统管式炉是一种重要的材料制备设备，广泛应用于大专院校、科研院所、工矿企业等实验和小批量生产之中。它主要用于在固态基材上沉积一层薄膜，其组成部分包括高温真空管式炉、气路和真空系统。

管式炉搭配质子（浮子）供气系统真空系统和分子泵机组，形成高真空CVD系统。CVD系统管式炉是一种重要的材料制备设备，广泛应用于大专院校、科研院所、工矿企业等实验和小批量生产之中。它主要用于在固态基材上沉积一层薄膜，其组成部分包括高温真空管式炉、气路和真空系统。